近日，2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会在光谷开幕。长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹受邀出席大会，与海内外化合物半导体产业链领军企业嘉宾齐聚一堂，共话行业前沿论题及第三代半导体技术与产业先机。

当前，以第三代半导体为代表的化合物半导体加速崛起，正重塑国际半导体产业格局。庄丹介绍，作为第三代化合物半导体的典型代表，碳化硅凭借耐高温、耐高压、高频化、低损耗等材料优势，能够大幅提高器件的能源转化效率、减少能耗并降低系统成本，将逐步取代传统硅基器件进而成为未来功率器件的主流。在他看来，第三代化合物半导体在新能源汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通等领域具有广阔的应用场景。

“我国拥有第三代化合物半导体的最大应用市场，发展第三代化合物半导体对于提升国际竞争力意义重大。”现场，在接受媒体采访时庄丹表示，长飞先进以“打破国际垄断，填补国内空白”为己任，始终聚焦于碳化硅功率半导体产品研发及制造，目前已打造完整的650v-3300VSiC产品矩阵，实现了从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖。

他还表示，在现有年产6万片碳化硅晶圆产能基础上，长飞先进正稳步推进年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地项目建设。该项目总投资达到200亿元，预期今年6月封顶，明年上半年形成产能。项目建成后将位居国内碳化硅产能前列，成为全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂，推动国内碳化硅产业快速发展。

本文来源：长飞先进